SK하이닉스가 미국에서 개최된 IEDM 컨퍼런스에서 QLC 이상의 NAND 개발시 발생하는 "전압 상태 장벽" 병목 현상을 해결할수

있는 MSC(Multi Site Cell) NAND 기술을 발표했습니다. 

MSC NAND 기술은 3D NAND 셀을 2분할 하여 셀당 데이터 용량을 높이면서 전압 상태 수를 2/3 줄이는 기술이라고 합니다. 

이 기술을 통해서 속도 나 내구성 저하 없이 셀당 5비트 저장이 가능해지게 된다고 합니다. 

QLC 를 넘어선 PLC(Penta Level Cell) 이 상용화 되면 SSD 저장용량을 최대 25% 증가 시킬 수 있다고 합니다. 

https://www.trendforce.com/news/2026/01/16/news-sk-hynix-unveils-5-bit-nand-that-splits-cells-delivers-20x-faster-reads/