10월 15일 삼성전자가 EUV 공정을 적용한 14nm DDR5 메모리의 양산에 들어갔다고 밝혔습니다. 

현재 운영 중인 14nm D램 제조라인 중 5개 레이어에 EUV 공정을 적용 할 것이라고 사전에 언급한 바 있는데 새로운 EUV 공정은 DDR5 메모리에 

가장 먼저 적용된다고 합니다. 

데이터 센터 숭요에 대응하기 위해서 이번 공정으로 단일 칩 최대용량인 24GB D램 까지 양산할 계획 이라고 합니다. 

https://www.etnews.com/20211012000179