인피니언이 세계 최초로 300mm SiC 웨이퍼의 생산을 시작했다고 합니다. 200mm 웨이퍼와 비교하여 웨이퍼 크기가

더 커짐에 따라서 2.3배 더 많은 칩의 생산이 가능해 졌다고 합니다. 

SiC 소재 특성에 따라서 전력 손실 감소 및 전력 밀도를 높일수 있어 고전압 및 고온 환경에서 효율적인 동작이 가능하다고

합니다. 

인피니언은 300mm 웨이퍼 기반 GaN 전력 반도체 대량 생산 시설에 11억 유로를 투자하겠다고 발표했습니다. 

https://www.techpowerup.com/354619/infineon-starts-worlds-first-300-millimeter-power-silicon-carbide-sic-wafer-production