TSMC가 2030년 부터 ASML High-NA EUV 장비를 도입한다는 계획을 발표했습니다. 

현재 사용중인 Low-NA EUV 장비로는 향후 도입될 최신 기술 적용이 어려워 보다 향상된 장비에 대한 

도입 계획을 밝힌 것입니다. 

이 장비가 도입되게 되면 현재 13nm 단일 노광 해상도에서 발전된 8nm 단일 노광 해상도를 구현하게 되며

차기 도입예정인 A10 또는 A11 (1~1.1nm급) 공정에 이 장비가 사용될 것으로 전망되고 있습니다. 

https://www.tomshardware.com/tech-industry/semiconductors/tsmc-to-start-using-high-na-euv-lithography-in-2030-a10-or-a11-technology-prime-candidates-for-use