삼성전자의 차세대 12단 HBM4E가 엔비디아 및 주요 하이퍼스케일러 고객사들의 품질 테스트를 통과했다고 합니다. 

2026년 5월 부터 주요 고객사들에게 테스트용 샘플이 제공되었으며 9월 경 품질 테스트를 완료했다는 분석이며

기존 HBM4 대비 20% 이상 향상된 성능을 보여준다고 합니다.  

12단 HBM4E는 삼성 6세대 10nm 1c DRAM 과 삼성 파운드리에서 제조한 4nm 로직 베이스 다이를 결합하여

제조되며 성능향상 이외에도 전력 효율성 및 발열 특성도 개선되었다고 합니다. 

https://wccftech.com/samsungs-12-hi-hbm4e-reportedly-passes-nvidia-qualification-paving-way-for-next-gen-ai-gpu-supply/