삼성전자가 차세대 DDR5 메모리를 2021년 부터 양산한다고 밝혔습니다. 8단 TSV 기술을 처음으로 D램에 적용하여 DDR5 메모리를 양산하며

10nm 공정 + EUV 기술을 통해서 초기 데이터센터 시장을 우선 공략한다는 계획입니다. 

동작속도는 가장 낮은 속도로 4800Mbps 로 동작되며 4800/5600/6400/7200 Mbps의 라인업을 갖추게 됩니다. 

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