네오 세미컨덕터는 모듈당 최대 512Gb 확장이 가능한 3D-NAND 공정 기술을 발표했습니다. 

새로운 3D X-DRAM 셀 디자인인 1T1C 와 3T0C 를 공개했으며 2026년에 개념 증명을 위한 테스트 칩을 공개할 수 있을 것으로 전망했습니다.

이 기술은 일반 DRAM 모듈 보다 10배 더 확대된 모듈 당 최대 512Gb(64GB) 저장이 가능 한다고 밝히고 있습니다.

인듐 갈륨아연 산화물 기반 설계로 인해서 3D NAND 처럼 적층형 설계가 가능하며 기존 3D NAND 제조 시설을 업그레이드하여 

신규 디자인을 제작하는 것을 기대한다고 밝혔습니다.   

https://www.tomshardware.com/pc-components/dram/3d-x-dram-aims-for-10x-capacity-of-todays-memory-neo-semiconductors-memory-has-up-to-512-gb-per-module