SK하이닉스가 메모리 업계 최초로 High NA EUV 장비를 경기도 이천 M16 팹에 도입했다고 합니다. 

2021년 10nm 4세대 DRAM 공정에 EUV 공정을 처음 도입한 이후 공정 미세화와 고 집적화를 위해서 차세대 EUV 장비가

필요했는데 이번에 도입하게 된 것이라고 합니다. 

이번 도입 장비는 ASML의 High NA EUV 최초 양산 모델로 기존 EUV 장비와 비교하여 1.7배 더 정밀한 회로 형성

, 2.9배 더 높은 집적도를 구현할 수 있도록 설계되었다고 합니다. 

https://news.skhynix.co.kr/high-na-euv-introduce/