제목삼성전자, 2D NAND 생산 시설을 HBM4 생산 시설로 전환 2026-02-26 10:11
작성자 Level 10

삼성전자가 2D NAND 플래시 스토리지 생산을 공식 종료하고 해당 시설을 HBM4 생산 시설로 전환하고 있다고 합니다. 

화성공장 12번 생산라인으로 월 80,000 ~ 120,000장 12인치 웨이퍼 생산능력을 갖추고 있는 라인이라고 합니다. 


기존에는 2D NAND 플래시를 생산했는데 HBM4에 사용되는 6세대 10nm 1c DRAM 생산으로 전환하며

웨이퍼 총생산량이 월 약 20만장 수준이 될 것으로 전망되고 있습니다. 


https://www.techpowerup.com/346751/samsung-is-transforming-old-2d-nand-fabs-into-modern-hbm4-production




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